在集成电路设计中，通孔是绝缘氧化物层中的一个小开口，允许不同层之间的导电连接，合包与分包（PAU）工艺被用于制备通孔阵列。与其他双重曝光工艺不同，PAU工艺并不直接提供额外的图形分辨率。图形分辨率只在第一次曝光时获得，第二次曝光只是在密集阵列中选择所需要的通孔。

该方法的主要困难是如何固化第一层光刻胶，即必须避免旋涂第二层光刻胶时对第一层胶的损伤，以及在第二次显影时对第一层胶的影响。为此提出了两种解决方案，其一，两种光刻胶使用不同的溶剂，且第一层光刻胶不溶于第二层光刻胶的溶剂。第一层光刻胶可溶于乙醇，而不溶于PGMEA。其二，使用紫外固化工艺固定第一层光刻胶图形，固化工艺使第一层光刻胶非常牢固，使其不被第二层光刻胶溶剂所溶解。