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内存spd参数详解(内存技术参数有哪些)

发布者:张龙
导读大家好,农企新闻小编来为大家解答以上问题。内存spd参数详解,内存技术参数有哪些很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!存储器技术参数简介DDR1内存第一代DDR内存DDR SDRAM是双倍数据速率

大家好,农企新闻小编来为大家解答以上问题。内存spd参数详解,内存技术参数有哪些很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!

存储器技术参数简介

DDR1内存

第一代DDR内存

DDR SDRAM是双倍数据速率SDRAM的缩写,意思是双倍速率同步动态随机存取存储器。DDR内存是在SDRAM内存的基础上发展起来的,现在还在用SDRAM生产系统。所以对于内存厂商来说,只需要稍微改进一下用来制造普通SDRAM的设备就可以生产DDR内存,可以有效降低成本。

2 DDR2记忆

第二代DDR内存

DDR2是DDR SDRAM内存的第二代产品。在DDR内存技术基础上改进,使其传输速度更快(最高可达800MHZ),功耗更低,散热性能更好。

DDR3内存

第三代DDR内存

与DDR2相比,DDR3的工作电压更低,从1.8V降至1.5V,性能更好,功耗更低。DDR2的4位预读升级到8位预读。目前DDR3的最高速度是1600Mhz。由于DDR2的最快内存速度已经提高到800Mhz/1066Mhz,第一批DDR3内存模块将从1333Mhz起步。

三种类型的DDR内存中,从内存控制器到内存插槽都是互不兼容的。甚至有些支持两种内存的Combo主板也不能同时工作,只能用一种内存。

内存SPD芯片

内存SPD芯片

SPD(串行存在检测)3360SPD是一个8脚EEPROM(电可擦可编程ROM),容量为256字节,主要存储该存储器的相关数据,如容量、芯片厂商、存储模块厂商、工作速度等。SPD的内容一般是内存条厂商写的。支持SPD的主板在启动时会自动检测SPD中的数据,并据此设置内存的工作参数。

电脑启动后,主板BIOS会读取SPD中的信息,主板北桥芯片组会根据这些参数信息自动配置相应的内存工作顺序和控制寄存器,充分发挥内存芯片的性能。出现上述情况的前提是在BIOS设置界面将内存设置选项设置为“By SPD”。当主板无法从内存中检测到SPD信息时,只能提供保守的配置。

从某种意义上说,SPD芯片是识别内存品牌的重要标志。如果SPD中的参数值设置不合理,不仅无法优化内存,还会导致系统工作不稳定,甚至崩溃。所以很多普通内存或者兼容内存的厂商为了避免兼容性问题,一般都会把SPD中的内存工作参数设置的比较保守,从而限制了内存性能的充分发挥。更有甚者,一些无良厂商通过专门的读写设备更改SPD信息,以欺骗电脑的检测,获得与实际情况不符的数据,从而欺骗消费者。

XMP科技

支持XMP技术的内存产品

BIOS中的XMP设置

英特尔Extreme Memory Profiles简称XMP,是一种提高内存性能的技术,类似于英伟达的SLI内存技术。英特尔制定了英特尔Extreme Memory Profiles(英特尔XMP规范),将对DDR3内存进行认证,芯片组将自动识别内存模块产品的认证品牌和型号,并通过提高数据吞吐量和带宽的方式来改善其性能。

英特尔表示,这项技术不会出现在DDR2内存模块上,因为它主要用于未来的高端平台。使用“极速内存”技术的首要条件是使用DDR3内存。

内存控制器(内存控制器)

内存控制器是计算机系统的重要组成部分,它控制内存,并通过内存控制器在内存和CPU之间交换数据。存储控制器决定了计算机系统的最大存储容量、存储体数量、存储类型和速度、存储区的数据深度和数据宽度等重要参数,也就是说,决定了计算机系统的存储性能,从而对计算机系统的整体性能有很大的影响。

早期的内存控制器集成在主板北桥芯片中。

在传统的计算机系统中,内存控制器位于主板芯片组的北桥芯片内部,CPU需要经过“CPU -北桥-内存-北桥- CPU”五个步骤才能与内存交换数据。在这种模式下,数据通过多级传输,数据延迟明显较大,从而影响计算机系统的整体性能。而AMD的K8系列CPU(包括各种带Socket 754/939/940等接口的处理器)内部集成了一个内存控制器,CPU与内存的数据交换过程简化为“CPU -内存- CPU”三步,省略。

  AMD率先在桌面平台将内存控制器集成在CPU

  英特尔新酷睿家族处理器也集成了内存控制器

  CPU内部整合内存控制器的优点,就是可以有效控制内存控制器工作在与CPU核心同样的频率上,而且由于内存与CPU之间的数据交换无需经过北桥,可以有效降低传输延迟。打个比方,这就如同将货物仓库直接搬到了加工车间旁边,大大减少了原材料和制成品在货物仓库和加工车间之间往返运输所需要的时间,极大地提高了生产效率。这样一来系统的整体性能也得到了提升。

  内存规格参数

  内存性能规格标签

  内存频率

  和CPU一样,内存也有自己的工作频率,频率以MHz为单位内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。目前最为主流的内存频率为DDR2-800和DDR3-1333,作为DDR2的替代者,DDR3内存的频率已经在向3000MHz进发。

  内存容量

  内存的容量不但是影响内存价格的因素,同时也是影响到整机系统性能的因素。过去Windows XP平台,512M的内存还是主流,1GB已经是大容量;到了现在,64位系统开始普及,Windows Vista、Windows 7越来越多人使用,没有2GB左右的内存都不一定能保证操作的流畅度。目前,单根内存的容量主要有1GB、2GB两种,高端的还有很罕有的单根4GB超大容量内存

  工作电压

  内存正常工作所需要的电压值,不同类型的内存电压也不同,但各自均有自己的规格,超出其规格,容易造成内存损坏。DDR2内存的工作电压一般在1.8V左右,而DDR3内存则在1.6V左右。有的高频内存需要工作在高于标准的电压值下,具体到每种品牌、每种型号的内存,则要看厂家了。只要在允许的范围内浮动,略微提高内存电压,有利于内存超频,但是同时发热量大大增加,因此有损坏硬件的风险。

  内存时序参数

  BIOS内存时序设置

  tCL : CAS Latency Control(tCL)

  一般我们在查阅内存的时序参数时,如“8-8-8-24”这一类的数字序列,上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个第一个“8”就是第1个参数,即CL参数。

  CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay),CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址,所以它是最为重要的参数,在稳定的前提下应该尽可能设低。

  内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS(Activeto Precharge Delay),预充电后,内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址,然后初始化tRCD,周期结束,接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的。

  这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小,则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟,可能会丢失数据。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率,所以需要对内存超频时,应该试着提高CAS延迟。

  该参数对内存性能的影响最大,在保证系统稳定性的前提下,CAS值越低,则会导致更快的内存读写操作。

  内存标签

  tRCD : RAS to CAS Delay

  该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第2个参数,即第2个“8”。RAS to CAS Delay(也被描述为:tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD),表示"行寻址到列寻址延迟时间",数值越小,性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时,需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中,它是排在第二的参数,降低此延时,可以提高系统性能。如果你的内存的超频性能不佳,则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。

  tRP : Row Precharge Timing(tRP)

  该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第3个参数,即第3个“8”。Row Precharge Timing (也被描述为:tRP、RAS Precharge、Precharge to active),表示"内存行地址控制器预充电时间",预充电参数越小则内存读写速度就越快。tRP用来设定在另一行能被激活之前,RAS需要的充电时间。

  tRAS : Min RAS Active Timing

  该值就是该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的最后一个参数,即“24”。Min RAS Active Time (也被描述为:tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time),表示“内存行有效至预充电的最短周期”,调整这个参数需要结合具体情况而定,一般我们最好设在24~30之间。这个参数要根据实际情况而定,并不是说越大或越小就越好。

  如果tRAS的周期太长,系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期,则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短,则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输,这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。

  对于大多数人来说,内存这个小硬件选好容量和频率,然后插上主板用上就行了,对它的很多小参数完全不在意。所以,行业厂商也会提供比较傻瓜式的读取内存SPD芯片的参数信息,自动设置各项小参,简单好用;更有简单的超频设置——XMP技术,让普通用户也能简单地享受超频增值的乐趣。当然,真正的玩家在超频时为了达到最理想的效果,还是更倾向于手动设置各项小参。希望通过这篇文章,大家能对内存的各项参数有更深的理解,并在使用上有一定的帮助。

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