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我国正在研制下一代存储芯片 速度提升1000倍

发布者:张书一
导读据报道,武汉光电国度研讨中心研发团队正在全力研发“下一代存储芯片”。研发担任人称,正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术,估计明年能在实验室研发成功。到时分,芯片的读写速度会比如今快1000倍,牢靠性进步1000倍,一旦产业化成功,将推翻产业格式。估计到2020年国际存储芯片的市场规模到5000亿元,出口替代空间宏大。可关注南大光电、紫光国芯等。

据报道,武汉光电国度研讨中心研发团队正在全力研发“下一代存储芯片”。研发担任人称,正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术,估计明年能在实验室研发成功。到时分,芯片的读写速度会比如今快1000倍,牢靠性进步1000倍,一旦产业化成功,将推翻产业格式。估计到2020年国际存储芯片的市场规模到5000亿元,出口替代空间宏大。可关注南大光电、紫光国芯等。