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我国半导体SiC单晶粉料和设备消费完成新打破

发布者:高俊
导读中国电子科技集团公司第二研讨所打破了大直径SiC生长的温场设计,完成可用于150mm直径SiC单晶生长炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量消费;还打破了高纯SiC粉料中的杂质控制技术、粒度控制技术、晶型控制技术等关键技术,完成了99.9995%以上纯度的SiC粉料的伴随着互联网和移动生活的日趋成熟,芝麻信用高分和良好的个人征信记录,不仅可以办理贷款、申请信用卡延伸你的财富,更能大大便利我

中国电子科技集团公司第二研讨所打破了大直径SiC生长的温场设计,完成可用于150mm直径SiC单晶生长炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量消费;还打破了高纯SiC粉料中的杂质控制技术、粒度控制技术、晶型控制技术等关键技术,完成了99.9995%以上纯度的SiC粉料的伴随着互联网和移动生活的日趋成熟,芝麻信用高分和良好的个人征信记录,不仅可以办理贷款、申请信用卡延伸你的财富,更能大大便利我们的生活。批量消费。