三星这两年把半导体代工业务作为重点来抓，往年率先推出了 7nm EUV 工艺，抢在了台积电、GlobalFoundries 及英特尔后面。如今这几家半导体制造公司都要依赖 FinFET 晶体管工艺，除了英特尔之外，三星是最早进入 FinFET 工艺的厂商之一，但是他们的 FinFET 工艺也惹上了费事，上周末被美国法院判决进犯了韩国迷信技术院的专利，需求赔偿 4 亿美元，三星表示不服。
三星与韩国迷信技术院（KAIST）在 FinFET 工艺上的争论由来已久，KAIST 在诉讼中表示事先还在 KAIST 任务的教授 Lee Jong-ho 在 2001 年向三星展现过 FinFET 技术，三星后来对 FinFET 工艺并不上心，但是后来看到英特尔的 FinFET 量产之后也放慢了 FinFET 工艺开发，三星运用了 Lee Jong-ho 教授的 FinFET 工艺为根底改良 FinFET 工艺，最终在 2011 年推出了跟 Lee Jong-ho 教授研发的 FinFET 工艺相近的 FinFET 技术。
KAIST 就这样跟三星结下了梁子，2016 年 KAIST 在美国德州的知识产权局起诉了三星，声称三星的 FinFET 工艺进犯了他们的专利权。三星回应称他们是跟 KAIST 协作开发的 FinFET 工艺，并质疑后者的 FinFET 专利无效性，不过陪审团没有认可三星的辩护，最终在上周判决三星进犯 KAIST 的 FinFET 专利权成立，需求赔偿 KAIST 大约 4 亿美元。
陪审团以为三星侵权是 " 成心的 "，所以这个 4 亿美元的赔归还不是最终的，有能够被重罚到 12 亿美元。
蓬勃发展的行业不仅给从业者提供了巨大的发展机遇，也带来了全新的挑战。三星这边对判决表示不服，表示将会思索一切能够的选择来取得合理的后果，包括上诉。
此外，这起侵权案中还触及到了高通及 GlobalFoundries，他们也被判侵权成立，不过法院没有要求他们赔偿任何损失。
【来源：超能网】