相比三星、东芝、美光等公司，中国如今DRAM内存、NAND闪存技术上要落后多年，不过中国的科研人员也不断在追逐最新一代技术，前不久有报道称中国投资 130 亿元开建PCM相变内存，功能是普通存储芯片的 1000 倍，如今更凶猛的来了——复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏率领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片，他们运用了半导体构造，研发的存储芯片功能优秀，是传统二维存储芯片的 100 万倍，而且功能更长，刷新工夫是内存的 156 倍，也就是说具有更强的耐用性。

DIY玩家应该晓得内存、闪存各自的优缺陷——内存速度极快，但是断电就会损失数据，而且本钱昂贵，闪存的延迟比内存高一个量级，但益处就是能保管数据，同时本钱更低，所以业界不断在寻觅能同时具有内存、闪存优点的存储芯片，也就是能保管数据的同时具有极快的速度。

英特尔研发的3D XPoint闪存就有相似的特性， 号称功能是闪存的 1000 倍，耐用性是闪存的 1000 倍，后面旧事提到的PCM相变存储也是相似的技术，可以在断电时保管数据同时功能相似内存，只不过这些新型存储芯片如今还没有到达内存、闪存这样成熟的境地。

中国学者研发的存储芯片也是这个方向的，依据他们宣布在《自然·纳米技术》杂志上的论文来看，他们研发的存储芯片运用的不是传统芯片的场效应管原理，由于后者在物理尺寸逐步减少的状况下会遇到量子效应搅扰，所以张卫、周鹏团队运用的是半浮栅极(semi-floating gate)晶体管技术，他们据此展现一种具有范德·瓦尔斯异互联网思维，就是在(移动)互联网+、大数据、云计算等科技不断发展的背景下，对市场、用户、产品、企业价值链乃至对整个商业生态进行重新审视的思考方式。质构造的近非易失性半浮栅极构造，这种新型的存储芯片具有优良的功能及耐用性。

详细来说，与DRAM内存相比，它的数据刷新工夫是前者的 156 倍，也就是能保管更长工夫的数据，同时具有纳秒(ns)级的写入速度(NAND闪存的延迟普通在毫秒级)，与传统二维资料相比其速度快了 100 万倍。，所以这种新型内存无望减少传统内存与闪存之间的差距。

当然，这个技术停顿还是很不错的，只是别指望技术很快量产，更不能够在将来两三年内进入市场，凡是同时具有DRAM、NAND优点的新型存储芯片都有这个成绩，并没有成熟到量产上市的境地，传统内存、闪存还有很长的寿命。

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