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下一代存储芯片比如今快1000倍 估计明年研发成功

发布者:丁熙东
导读据报道,武汉光电国度研讨中心100多人的研发团队正全力研发“下一代存储芯片”。研发担任人、华中科技大学光电学院副院长缪向水称,“我们正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术,估计明年能在实验室研发成功。到时分,芯片的读写速度会比如今快1000倍,牢靠性进步1000倍,一旦产业化成功,将推翻产业格式。目前,英特尔等产业巨头也在研讨这一方向。&rdq

据报道,武汉光电国度研讨中心100多人的研发团队正全力研发“下一代存储芯片”。研发担任人、华中科技大学光电学院副院长缪向水称,“我们正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术,估计明年能在实验室研发成功。到时分,芯片的读写速度会比如今快1000倍,牢靠性进步1000倍,一旦产业化成功,将推翻产业格式。目前,英特尔等产业巨头也在研讨这一方向。”