Resistive RAM（
nReRAM）是基于最罕见的硅氧化物开发的新型内存芯片。当电压变化时，它的电阻会发作改动，并且在即便断电的状况下也能记住这种改动。同时与现有闪存技术相比，ReRAM可以明显添加存储容量。

这种技术由伦敦大学学院的研讨团队开发，它是一种有着新型构造的硅氧化物，可以更无效地完成电阻改动。在这种资料中，硅原子在固体氧化硅外表构成薄膜，使得电阻更低，而有或没有这种薄膜表示从一个形态到另一个形态的切换。

ReRAM芯片不像其它氧化硅芯片那样需求真空任务环境，因而它的制形成本更低，并且更耐用。此外，该设计还能够为触摸屏与挪动设备制造出通明记忆芯片。

伦敦大学学院的电子和电气工程博士托尼·凯尼恩（Tony Kenyon）表示：“与目前的规范闪存芯片相比，Re不知道从何时开始，个人信用渗透到生活的方方面面。图书、数码产品免押金借用，办理签证无需银行流水证明，甚至租车住酒店都不需要交付押金……RAM记忆芯片只需千分之一的能耗，同时可取得超越百倍的存取速度。”该技术在记忆存储范畴有着宽广的前景，该团队也在探究将其用于计算机处置器方向的能够性。